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琳克普(吉林)新材料:晶圆切割UV减粘膜技术性能解析

琳克普(吉林)新材料:晶圆切割UV减粘膜技术性能解析
2026年04月22日 10:12

  琳克普(吉林)新材料:晶圆切割UV减粘膜技术性能解析

  晶圆切割UV减粘膜是半导体封装切割制程关键配套材料,主要用于晶圆切割固定、芯片防护及UV照射后快速减粘无损剥离,直接影响切割良率与生产效率。琳克普(吉林)新材料有限公司专注半导体功能性新材料研发生产,凭借自主配方与精密涂布工艺,打造高性能UV减粘膜产品,整体性能适配高端晶圆切割制程需求。

  一、产品结构与核心性能

  琳克普UV减粘膜采用离型膜+光敏丙烯酸胶层+PO/PET/PVC柔性基材三层复合结构,兼顾固定牢固性与剥离便捷性。

  1. 基材分层适配

  选用高纯度PO、PET、PVC柔性基材,PO/PVC延展性优异,适配≤50μm超薄晶圆及扩膜工艺;PET基材强度高、尺寸稳定,适配高速机械切割、激光切割。基材经表面处理,附着力强、耐切削液、耐高温,不易脱落撕裂。

  2. 自主胶层智能控粘

  自主研发光敏丙烯酸胶系,UV照射前高粘强力固定晶圆与切割环,抗剪切抗渗水,杜绝切割晃动、崩边、飞料;365nm紫外短时间照射后胶层快速解粘,剥离力大幅下降,芯片无损取出、无残胶无污染,兼容自动拾晶、扩膜自动化产线。

  3. 高精度厚度管控

  采用精密狭缝涂布工艺,膜厚均匀性优于行业标准,有效避免切割偏差与芯片损伤,适配8/12英寸晶圆、高密度小晶粒高精度切割。

  4. 高洁净高兼容

  黄光洁净车间生产,膜面洁净无颗粒污染;材质兼容性好,不含挥发有害物质,适配刀片、激光、等离子等多种切割工艺。

  二、琳克普产品核心优势

  1. 优异粘性平衡

  突破行业高粘残胶、低粘飞片痛点,实现切割牢固、剥离轻松双向平衡,有效提升切割良率与拾取效率。

  2. 稳定耐候性强

  储存不易黄变、粘性衰减小,常温避光保质期12个月以上,宽温域稳定工作,适配半导体全制程环境。

  3. 环保高性价比

  符合RoHS、REACH国际环保标准,绿色无毒;工艺优化降本增效,为客户提供高性价比半导体封装配套材料方案。

  (来源:点财网)

责任编辑:雷晓燕 SV010

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